
随着半导体工艺不断进步,逻辑芯片与存储芯片在制造技术、封装形式和系统集成方面均经历了深刻变革。二者虽服务于同一电子生态,但演进路径各有侧重。
逻辑芯片持续追求摩尔定律的极限,采用先进节点(如5nm、3nm)以提升晶体管密度和性能。例如,苹果M1芯片、英特尔酷睿系列均采用尖端制程,以增强算力。
相比之下,存储芯片在制程上的突破更为复杂。例如,3D NAND闪存通过堆叠多层单元(如64层、128层),大幅提升存储密度,克服了平面结构的物理限制。
逻辑芯片广泛采用Chiplet(芯粒)架构,将多个小芯片通过高速互连(如UCIe标准)拼接成大系统,提升良率和灵活性。
存储芯片则发展出HBM(高带宽内存)和PoP(Package-on-Package)技术,将内存直接堆叠在逻辑芯片之上,缩短数据传输路径,降低延迟。
近年来,“存内计算”(Computing-in-Memory)和“近存计算”(Near-Memory Computing)成为研究热点。这类技术试图将部分逻辑处理能力嵌入存储芯片内部,减少数据搬移开销,提高能效。
例如,英特尔的Optane内存和三星的3D XPoint技术,已在部分高性能计算场景中实现逻辑与存储的边界模糊化。
逻辑芯片正向异构计算(AI加速、FPGA集成)演进;而存储芯片则聚焦于非易失性、低功耗、高可靠性的新型材料(如MRAM、ReRAM)研发,为边缘智能设备提供支持。
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